逆ならびに通常磁気抵抗効果の融合による不揮発・超低消費電力対応型,論理演算回路の動作実証と実装化指針の考察
採択年度 | 2013年度 |
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研究者氏名 | 福島工業高等専門学校 一般教科 物理 准教授 磯上 慎二 |
萌芽研究テーマ | C:電力インフラの信頼性・環境調和性の向上への挑戦 |
研究概要 | 磁気抵抗効果という物理に立脚した新規電子デバイスの創製が望まれている。我々は特異なスピン物性を有する磁性材料を用いて、従来と逆特性(符号が負)の磁気抵抗効果の導出に成功した。またさらに、従来特性(符号が正)材料との複合化を図ったところCMOS同等の論理演算機能を計算で見出した。本研究では実際のデバイス作製と実験による動作原理検証を行い、最終的に必要となる実装化指針の検討を行う。 |
外部発表情報 | 1) ""Logic gate using hybrid magnetic tunnel junctions with normal and inverse magnetoresistive effect"", S. Isogami and T. Oowada, 58th Annual Magnetism and Magnetic Materials Conference, GT-02, Denver (2013). 2) ""The enhancement of magnetic damping in Fe4N films with increasing thickness"", S. Isogami, M. Tsunoda, M. Oogane, A. Sakuma and M. Takahashi, Jp. J. Appl. Phys., 52, 073001 (2013). 他4件. |
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