低損失かつコンパクトな電力変換システムに向けたSiC pチャネルMOSFETの移動度向上
| 採択年度 | 2025年度 |
|---|---|
| 研究者氏名 | 京都大学 工学研究科電子工学専攻 助教 三上 杏太 |
| 萌芽研究テーマ | C:電力インフラの信頼性・環境調和性の向上への挑戦 |
| 研究概要 | 次世代パワーデバイスとしてSiCやGaNなどのワイドギャップ半導体を用いた素子が実用化され、消費電力の大幅な低減に成功している。パワーデバイスは動作時に発熱するため高温になるが、これらの次世代パワーデバイスは高温動作可能であるため冷却機構を簡易なものにできる。しかし、その演算・駆動回路には高温動作が困難なSi集積回路が用いられており、演算・駆動回路用の冷却機構が電力変換システムの肥大化を招いている。そこで、高温動作可能なSiC集積回路を演算・駆動回路として用いることが検討されている。本研究では酸化膜/SiC構造の形成条件に着目して、SiC集積回路を構成するSiC pチャネルMOSFETの性能向上に取り組む。本研究で獲得する知見は、電力変換システムの小型化・低損失化や極低損失SiCモノリシックパワーICの開発に有用であり、パワーエレクトロニクスのさらなる発展に貢献する。 |
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※研究者の職位・所属は、採択当時のものです。
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パワーアカデミー事務局