Alの添加によるGaAsN系混晶の高品質化に関する研究
採択年度 | 2022年度 |
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研究者氏名 | 早稲田大学 先進理工学部 電気・情報生命工学科 助教 塚崎 貴司 |
萌芽研究テーマ | A:電力システムの高度化への挑戦 |
研究概要 | GaAsと比較して、GaAsN系混晶のバンドギャップエネルギーが小さいので、GaAs系多接合型太陽電池における1.0 eV帯の材料として期待されている。本研究では、残留不純物の混入を抑制できる分子線エピタキシー法を用いて成長したGaAsN系混晶について、Alの添加によってGaAsN中の欠陥が減少することを実証することにより、高品質なGaAsN系混晶の実現を目指す。 |
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