金属の低仕事関数化に着目した金属/4H-SiCコンタクトの界面構造制御指針の提案
採択年度 | 2020年度 |
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研究者氏名 | 名古屋大学大学院 工学研究科 助教 柴山 茂久 |
萌芽研究テーマ | C:電力インフラの信頼性・環境調和性の向上への挑戦 |
研究概要 | SiCパワーデバイスの更なる省電力化に向けて、一般に材料固有物性と思われがちな金属の仕事関数の低減という観点から、金属/SiCコンタクトのショットキー障壁高さの低減を可能とする、SiCと接する金属表面の化学結合状態の設計指針を明らかにする。本研究は金属側からのアプローチであるため、本研究で得る知見は、SiCだけでなく、GaNやGa2O3といったワイドギャップ半導体全般への応用が可能であり、パワーエレクトロニクス分野に広く寄与すると期待される。 |
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