SiC(シリコンカーバイド)デバイス
英語名silicon carbide device
珪素（Si）と炭素（C）の原子比が１対１の化合物で、1892年に人工合成され始め、主として炉材や研磨材等、熱的・化学的耐性や硬さが利用されていたが、電子デバイス応用を意識して研究開発に取り組まれたのは1950年代半ばから1970年代にかけてである。
出典）「電気事業事典」電気事業講座2008 別巻 ((株)エネルギーフォーラム 発行)
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英語名silicon carbide device
珪素（Si）と炭素（C）の原子比が１対１の化合物で、1892年に人工合成され始め、主として炉材や研磨材等、熱的・化学的耐性や硬さが利用されていたが、電子デバイス応用を意識して研究開発に取り組まれたのは1950年代半ばから1970年代にかけてである。
出典）「電気事業事典」電気事業講座2008 別巻 ((株)エネルギーフォーラム 発行)
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