SiC-MOSFETの移動度向上に向けた酸素ラジカル処理によるAl2O3系堆積絶縁膜の開発
採択年度 | 2018年度 |
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研究者氏名 | 愛知工業大学 電気学科 電子情報工学専攻 准教授 竹内 和歌奈 |
萌芽研究テーマ | C:電力インフラの信頼性・環境調和性の向上への挑戦 |
研究概要 | SiCパワーMOSFETの更なる性能向上に向けて,低抵抗化に大きく寄与する絶縁膜/SiC界面特性の向上を目指す。酸素ラジカル処理を施したAl2O3系(AlON)絶縁膜の絶縁膜特性,界面特性を明らかにし,従来の堆積SiO2膜との組み合わせの設計指針を確立する。 |
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