採択年度 2013年度
研究者氏名 島根大学 総合理工学部 電子機能システム工学専攻 博士後期課程1年 梅上 大勝
萌芽研究テーマ B:エネルギー利用技術の高度化・省エネ化への挑戦
研究概要 SiCやGaNといった次世代デバイスは大電力領域での高速スイッチングを可能にする潜在能力を秘めているが、扱いが難しく、スイッチングノイズによる誤作動や破壊を防ぐことが必要となる。本研究では、基礎段階として誤点弧発生のメカニズムに着目し、その発生原因、振舞い、対応策、理論化を目指す。現段階において発生原因と振舞いが明らかになってきた。従って、更なる探求と、対応策、理論化を今後の目標とする。
外部発表情報 誤点弧発生の解析に関する発表 3件(助成以前),1件(現在,投稿中)
誤点弧解析に関する開発レター 1件(助成以前に受理済)
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