採択年度 2013年度
研究者氏名 千葉工業大学 工学部 電気電子情報工学科 准教授 佐藤 宣夫
萌芽研究テーマ C:「電力インフラの適切な維持」のために
研究概要 半導体デバイスの微細化、多層配線化、高速化により、その動作解析は益々、難しくなる面がある。特にパワー半導体デバイスの高耐圧化/大電流化により、素子内部の不良箇所が重大なエラーを誘引し、故障・破壊に至る。本研究では、表面電位/容量可視化顕微鏡装置を開発、パワー半導体素子をFIB(Focused Ion Beam)加工することで、パワーMOSFET内部のナノスケール評価とその解析技術の確立を目指す。
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