採択年度 2012年度
研究者氏名 早稲田大学 大学院 先進理工学研究科 電気・情報生命専攻 博士後期課程1年 森本 貴明
萌芽研究テーマ C:「電力インフラの適切な維持」のために
研究概要 現在、パワー半導体素子「SiC MOS-FET」を電源回路に用いて損失を低減させる試みがされているが、ゲート絶縁膜の耐圧不足が課題となっている。そこで、従来のSiO2絶縁膜を誘電率の高いLaAlO3、YAlO3等に置き換えることが考えられるが、材料中の欠陥による特性低下の懸念がある。そこで、フォトルミネッセンス、電子スピン共鳴などの測定を組み合わせて欠陥構造を解明し、絶縁膜耐圧向上を目指す。

※予定研究項目実施完了ならびに日本学術振興会 特別研究員-DC2内定に伴い、2013年3月末をもって研究終了
外部発表情報 1)井上貴博、森本貴明、堀井陽介、山坂大樹、大木義路、“高誘電率ゲート絶縁膜材料YAlO3に含まれる遷移金属イオンの価数変化(I) 光照射がCrに及ぼす影響”、2012年放電学会年次大会講演論文集、D-3-4、pp、 75-76、東京、2012. 12
2)金子昇司、山坂大樹、堀井陽介、森本貴明、大木義路、“高誘電率ゲート絶縁膜材料YAlO3に含まれる遷移金属イオンの価数変化(II) 熱処理がCrとFeに及ぼす影響”、2012年放電学会年次大会講演論文集、D-3-5、pp. 77-78、東京、2012. 12
3)堀井陽介、森本貴明、山坂大樹、大木義路、“イオン照射によるYAlO3単結晶の結晶性低下と熱処理による回復”、第60回応用物理学関係連合講演会、2013.3
4)井上貴博、森本貴明、山坂大樹、堀井陽介、大木義路、“YAlO3の点欠陥(IV) ~光照射による顕在化と消滅~”、第60回応用物理学関係連合講演会、2013.3
5)金子昇司、山坂大樹、堀井陽介、森本貴明、大木義路、“YAlO3の点欠陥(V) ~熱処理の影響~”、第60回応用物理学関係連合講演会、2013.3
6)森本貴明、山坂大樹、堀井陽介、井上貴博、大木義路、“YAlO3の点欠陥(VI) ~LaAlO3との比較~”、第60回応用物理学関係連合講演会、2013.3
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※研究者の職位・所属は、採択当時のものです。
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